สำนักข่าว Techradar รายงานว่า Samsung เตรียมเปิดตัวแรม DDR5 ความเร็วสูงขนาด 32Gb ซึ่งมีความเร็วต่อพินสูงถึง 8.0 Gbps ในงานสัมมนาวิชาการ IEEE International Solid-State Circuits Conference ซึ่งจะจัดขึ้นในวันที่ 18-22 กุมภาพันธ์ 2024 นี้
หลังประกาศถึงการพัฒนาแรม DDR5 ความเร็วสูงรุ่นใหม่ในช่วงปลายปีที่ผ่านมา มีรายงานว่าซัมซุงเตรียมเปิดตัวแรมดังกล่าวในงาน ISSCC 2024 ช่วงกลางเดือนนี้ โดยรุ่น 32Gb จะมีความเร็วต่อพินอยู่ที่ 8.0 Gbps ใกล้เคียงความเร็วของมาตรฐาน GDDR5X สร้างขึ้นบนสถาปัตยกรรม Symmetric-Mosaic Architecture ผลิตโดยเทคโนโลยี 5th generation 10nm ของซัมซุงซึ่งถูกออกแบบมาเพื่อการผลิต DRAM โดยเฉพาะ ทำให้สามารถรักษาขนาดเท่า DRAM 16Gb DDR5 แต่มีความจุเป็น 2 เท่า
โดย DRAM ขนาด 32Gb ตัวใหม่นี้จะทำให้ซัมซุงสามารถผลิตโมดูล 128 GB โดยไม่ต้องผ่านขั้นตอนการประกอบแบบ Through Silicon Via (TSV) และลดอัตราการใช้พลังงานได้ราว 10% ซึ่งนับเป็นเรื่องดีสำหรับการใช้งานในดาต้าเซ็นเตอร์ซึ่งมีความต้องการประมวลผลด้าน AI มากขึ้นเรื่อยๆ